经过漫长的等待，基于3D XPoint技术的DIMM内存又向前迈了一大步，在今年的USB全球技术大会上，intel（英特尔）执行副总裁、数据中心部门总经理Navin Shenoy宣布，基于3D XPoint存储技术的DIMM内存将会在2018下半年正式推出，拥有NAND非易失性、高密度和DRAM低延迟、超高速率等优点，单条内存容量就可达到512GB，对于服务器平台而言6TB只是起点，可以预见未来的内存容量会呈井喷式的爆发。另外，英特尔还宣布与美光合作对其旗下IM Flash扩场，犹他IM厂60号建筑已落成，能大幅提升产能，无需担心3D XPoint产能所限带来的种种问题。
3D XPoint技术内存由英特尔与美光共同研发，采用NVDIMM-P接口类型，目前未公布具体技术细节。虽然还未正式量产，但技术规格等优势明显，英特尔强调到2021年，3D XPoint内存条将为其打开80亿美元市场。不过，目前还没任何平台配套给予市场，不过英特尔表示很快会在服务器与数据中心先进行合作，至于消费级平台还不得而知。另外，JEDEC固态存储协会关于NVDIMM-P类型的标准尚未敲定，AT认为兼容DDR4不可能，但TMHW则说早期兼容DDR4是必然的，只是接口略有区别，至于能否顺利推行，资讯中心也会持续跟进，敬请期待。
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