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英特尔推34nm MLC固态盘
2017-06-01 15:16:34 4924

       英特尔正式发布了全球首批基于34nm MLC NAND闪存新工艺的固态硬盘。但是对于英特尔而言,已经不仅仅是将固态硬盘向34nm制程工艺发展,而且在努力使其在不增加容量的前提下更快,更廉价的产品。

     生产工艺的进步加上新版控制器和固件,使得34nm X25-M固态硬盘的性能有了不小的提升,英特尔推出的X25-M和X18-M产品有80和160GB的容量,其使用2-bit 50nm的多级单元技术。32GB和64GB的X25-E为单级单元,单级单元的速度要超过多级单元。

 

       英特尔34nm固态盘 英特尔副总裁兼NAND解决方案总经理Randy Wilhelm表示,“我们的目标不仅是第一个实现34nm NAND固态盘的推广,更是要提供用户比50纳米版本更好的表现性能”   

       不过目前只有X25-M系列产品会采用34nm进程。另外据英特尔表示,新34nm X25-M固态盘将兼容目前所有50nm系列版本,并会继续向下兼容以取代现有的硬盘。多级单元(MLC)固态盘提供80GB和160GB的版本。 另外,新的Intel X25-M系列产品改进的延迟和更快的随机IOPS,由于外壳采用的是硅脂,那样就将成本大大削减了60%。相比50nm系列版本,新的固态硬盘预计将减少延迟25%,4KB随机读取性能提升至35000 IOPS,而4KB随机写入性能亦提升至6600 IOPS(80GB)、8600 IOPS(160GB)。   

      此外,英特尔还将发布新固件以支持Windows 7 TRIM指令,并且还会发放优化工具以提升在XP/Vista系统下的性能。80GB为225美元,160GB为440美元。


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